刚刚开始学习RF，只知道MMIC和RFIC的字面意思，但是对于他们的本质区别一直模糊！请高手赐教！
PS:
MMIC简介：微波集成电路可以分为微波混合集成电路（Hybrid Microwave Integrated Circuit, HMIC）及微波单片集成电路（Microwave Monolithic Integrated Circuit, MMIC）。其中HMIC出现较早，主要是由微带线和分立的微波固体器件结合构成的，因而又被称为微带电路。微带电路通常使用陶瓷基片，制作过程与半导体工艺相似。
第一块GaAs MMIC放大器于1974年在美国的Plessey公司诞生。经过不断发展，目前国外的GaAs MMIC技术已经相对成熟，多个公司的各种产品能够满足不同频段不同类型的应用，产品主要有Switch、PA、LNA、VCO、Mixer、Phase Shifter、Attenuator、Divider/Combiner等有源、无源模块。MMIC具有体积小、重量轻、机械强度好、可靠性高、扩展功能好等优点，随着移动通讯的不断发展，原来主要用于军事目的的GaAs、InP微波单片集成电路日益受到民用产业的重视。目前民用移动通讯设备中所用的高频器件多数仍为硅或GaAs分立器件。随着新一代设备对重量、体积、功耗等的要求日益提高．MMIC越来越成为首选方案。
MMIC的电路功能与传统的微波电路一致．但设计方法几乎完全不同：
1. MMIC的所有元件（包括有源器件及无源器件）都是平面结构，通过半导体工艺实现。虽然名称与传统的相同，但特性不同，需用复杂的模型来描述。
2. 半导体材料的微波传输特与传统的微波基片有很大不同，造成MMIC存在复杂的寄生效应，必须进行专门的设计修正。
3. MMIC芯片在使用时也常用到微波封装， 则还存在芯片与封装联接时因装配及封装本身寄生耦台引起的特性变化，这也要在MMIC设计时预先考虑在内。
综上所述， MMIC的设计一般来说比传统的微波电路要复杂得多，此外，考虑到MMIC高昂的制造成本，设计必须一次成功。
总之。。。（呵呵，其实名称并不重要。。。）
通常MMIC是指：
1.电路工作在微波波段：几百兆到几百吉（通常，不是绝对）
2.用到的有源器件主要有MESFET、HEMT、HBT、SBD、PIN等传统意义上的“微波器件”
3.GaAs、InP基材料（在对应的衬底上进行材料生长）的IC大部分场合被称为MMIC、少数时候也被称为RFIC
通常RFIC是指：
1.电路工作在几百K到几十G赫兹（通常，不是绝对）
2.使用Si材料（或SOI材料，亦是Si衬底）的bipolar、CMOS工艺制作的IC，绝大部分场合称之为RFIC，（工作频率达微波波段的说是MMIC也可以）
3.GeSi工艺的IC由于用到MESFET、HBT、应变沟道MOST等Si工艺所没有的异质结器件,一半场合称之MMIC，一半场合称之RFIC（特别是和CMOS、BJT集成时）
4.SiC工艺的IC有时被称为mmic，有时被称为rfic
── by ddrr
个人理解应用频率不同，MMIC一般砷化镓工艺，RFIC现在是CMOS工艺为主
高人解釋一下啊